HBM 삼국지: 삼성전자·SK하이닉스·마이크론 현재와 전망
AI 반도체 수요를 이끄는 HBM 시장에서 세 회사의 현재 위치와 HBM4 전환기 경쟁구도를 정리합니다.
반도체AI삼성전자 005930SK하이닉스 000660마이크론 MU
개념 / TSV (실리콘관통전극)
TSV (실리콘관통전극)
칩을 실리콘 기판째로 수직으로 뚫어 전극을 심는 기술. 여러 층의 D램을 얇게 쌓아 HBM으로 만드는 핵심 공정입니다.
TSV(Through-Silicon Via)는 실리콘 칩을 수직으로 관통하는 미세한 구멍에 전극을 채워, 위아래 칩을 직접 전기적으로 연결하는 기술입니다. HBM은 D램을 여러 층 쌓은 뒤 TSV로 층간을 연결해서 만듭니다. 층을 얼마나 많이, 얼마나 얇고 정밀하게 쌓느냐(수율)가 HBM 제조사들의 핵심 경쟁력입니다.